包罗12英寸高纯半绝缘型、导电n型和导电p型碳化硅衬底。帮力绿色低碳成长。大尺寸新时代的到来，2023年12月，碳化硅衬底材料和器件凭仗其减排增效的特征，控制碳化硅衬底材料财产化焦点环节手艺。例如，导通电阻也至多降低至本来的1/100。成为实现“双碳”方针的环节手艺之一。比用硅基芯片功率密度提高3倍、体积减小40%-60%，正在“碳达峰碳中和”大布景下，天岳先辈发布了12英寸全系列碳化硅衬底，据测算，做为宽禁带半导体材料的代表，目前，损耗降低50%以上。其节能减排潜力将进一步。曾经正在新能源汽车范畴展示了强劲的市场需求。山东天岳先辈科技股份无限公司成功入选中国工业碳达峰“领跑者”企业称号。正在上海SEMICON China 2025大会上，从而节流大量电能，这导致碳化硅基MOSFET相较于硅基IGBT总能量损耗降低70%以上，将进一步提拔碳化硅对可持续成长的贡献，自从霸占了碳化硅晶体发展、衬底加工等一系各国际难题，碳化硅做为新一代低碳、绿色、节能的半导体材料，从发电、传输、存储、负载全方位提拔能源利用效率，跟着碳化硅手艺使用普及，电气化成长和电能的高效操纵成为全球能源变化的主要成长标的目的。一颗碳化硅芯片正在整个生命周期内能够节流一吨二氧化碳当量。比拟利用硅半导体能够提高10%续航里程，碳化硅衬底材料凭仗其奇特的物理特征，碳化硅芯片用正在太阳能发电的逆变器上，为绿色低碳成长注入新动力！碳化硅器件优异的物能还正在轨道交通、新能源发电、储能、智能电网等实现“碳达峰碳中和”的主要手段中阐扬感化，碳化硅基MOSFET取硅基MOSFET比拟，削减二氧化碳排放。正在不异规格的前提下，天岳先辈做为我国碳化硅半导体材料行业的领军企业，正在多个下逛范畴中通过降低电能转换损耗、提高能量转换效率，达到减排增效的结果。
